氣相沉積爐呢是一種真空設(shè)備，也就是要在一定真空環(huán)境下進(jìn)行工作的。氣相沉積爐的主要部分有：真空反應(yīng)室，抽氣組件，控制面板和水氣電的部分.
氣相沉積爐 而氣相沉積技術(shù)是一種快速發(fā)展以及應(yīng)用廣的表面成膜技術(shù)，氣相沉積技術(shù)不僅僅可以用來(lái)制備各種特殊的力學(xué)性能的薄膜涂層，而且還能用來(lái)制備各種功能薄膜材料和裝飾薄膜涂層等。 氣相沉積技術(shù)可以分為物理氣相沉積（簡(jiǎn)稱PVD）和化學(xué)氣相沉積（簡(jiǎn)稱CVD）。其中化學(xué)氣相沉積用的是為廣泛，化學(xué)氣相沉積可以通過(guò)化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵(lì)或光輻射等各種能源，用這種技術(shù)可以在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)的沉積物。
氣相沉積爐向您介紹就是兩種或者兩種以上的氣態(tài)原料通過(guò)導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi),然后他們之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而形成一種新形材料，沉積到基片表面上。而CVD和PVD相比，沉積過(guò)程要發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，這是一個(gè)氣象化學(xué)生長(zhǎng)的過(guò)程。
