氣相沉積爐是利用中頻感應加熱的高溫燒結(jié)設備，氣相沉積爐CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術(shù)較初是作為涂層的手段而開發(fā)的，但目前，不只應用于耐熱物質(zhì)的涂層，而且應用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特征的技術(shù)領域。
氣相沉積爐技術(shù)特征在于：(1)高熔點物質(zhì)能夠在低溫下合成;(2)析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種;(3)不僅可以在基片上進行涂層，而且可以在粉體表面涂層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質(zhì)，在節(jié)能方面做出了貢獻，作為一種新技術(shù)是大有前途的。
